РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ ОТЕЧЕСТВЕННОГО ПРОИЗВОДСТВА
ООО "Радио-Комплект"
Радиоэлектронные компоненты

 
Заказ: Просмотр корзины
 

В связи с праздничными днями ближайшая отгрузка 02.05.2024г.. 03.05.2024г. - рабочий день.

С 04.05.2024г. по 12.05.2024г. нерабочие дни.

Начало работы 13.05.2024г.

Следующая отгрузка 20.05.2024г.


Прайс лист
Обновление прайс-листа 27.03.2024г.

download ПРАЙС XLSX(zip) excel


Дежурный по сайту
icq 463588205

Каталог
- Автоматы
- Выключатели
- Динисторы
- Диоды
- Дроссели
- Заглушки для разъемов
- Импорт
- Индикаторы
- Коммутация
- Конденсаторы
- Ламповые панели
- Лампы
- Микросхемы
- Модули
- Оптроны
- Охладители
- Паяльное оборудование
- Предохранители
- Припой
- Провод
- Прочее
- Разъемы
- Резисторы
- Реле
- Светодиоды
- Стабилитроны
- Тиристоры
- Транзисторы
- Трансформаторы
- Шунты
- Щитовые приборы
- Весь ассортимент
- Все фото компонентов


cat_link   Каталог ссылок  



џндекс.Њетрика

Вернуться ...

Справочник по параметрам транзисторов



 
В базе найдена характеристика на 1450 транзистор.
Страницы : [ 1 ]  [ 2 ]  [ 3 ]  [ 4 ]  [ 5 ]  [ 6 ]  [ 7 ]  [ 8 ]  [ 9 ]  [ 10 ]  [ 11 ]  [ 12 ]  [ 13 ]  [ 14 ]  [ 15 ] [ 16 ]  [ 17 ]  [ 18 ]  [ 19 ]  [ 20 ]  [ 21 ]  [ 22 ]  [ 23 ]  [ 24 ]  [ 25 ]  [ 26 ]  [ 27 ]  [ 28 ]  [ 29 ] [ 30 ] 

Буквенные обозначения параметров полупроводников

Подбор компонентов по параметрам

Укажите параметры для подбора компонентов:  
Структура =  
Pк max, Pк* т max, Pк** и max, мВт =  
fгр, f* h21б, f** h21э, f*** max,МГц =  
UКБО max, U* КЭR max, U** КЭО max, В =  
UЭБО max, В =  
IК max, I* К,и max, мА =  
IКБО, I* КЭR, I** КЭО, мкА =  
h21э, h21Э* =  
Cк, C12э*, пФ =  
rКЭ нас, Ом rБЭ* нас, Ом Kу,р*, дБ =  
Kш, дБ rб*, Ом Pвых*, Вт =  
tau к, пс tрас*, нс tвыкл**, нс =  
 


Тип прибора Структура Pк max, Pк* т max, Pк** и max, мВт fгр, f* h21б, f** h21э, f*** max,МГц UКБО max, U* КЭR max, U** КЭО max, В UЭБО max, В IК max, I* К,и max, мА IКБО, I* КЭR, I** КЭО, мкА h21э, h21Э* Cк, C12э*, пФ rКЭ нас, Ом rБЭ* нас, Ом Kу,р*, дБ Kш, дБ rб*, Ом Pвых*, Вт tau к, пс tрас*, нс tвыкл**, нс Корпус
КТ642А-5 n-p-n 500 - 20 2 60 <=1 мА (20 В) - <=1,1 (15 В) >=3,5** (8 ГГц) >=0,1** (8 ГГц) -
КТ643А-2 n-p-n 1,1 Вт (50°С) - 25 3 120 <=1 мА (25 В) - <=1,8 (15 В) - >=0,48** (7 ГГц) -
КТ644А p-n-p 1 (12,5*) Вт >=200 60 5 0,6 А; 1* А <=0,1 (50 В) 40...120* (10 В; 0,15 А) <=8 (10 В) <=2,7 - <=180*
КТ644Б p-n-p 1 (12,5*) Вт >=200 60 5 0,6 А; 1* А <=0,1 (50 В) 100...300* (10 В; 0,15 А) <=8 (10 В) <=2,7 - -
КТ644В p-n-p 1 (12,5*) Вт >=200 40** 5 0,6 А; 1* А <=0,1 (50 В) 40...120* (10 В; 0,15 А) <=8 (10 В) <=2,7 - -
КТ644Г p-n-p 1 (12,5*) Вт >=200 40** 5 0,6 А; 1* А <=0,1 (50 В) 100...300* (10 В; 0,15 А) <=8 (10 В) <=2,7 - -
КТ645А n-p-n 0,5 (1*) Вт >=200 60 4 0,3 А; 0,6* А <=10 (60 В) 20...200* (2 В; 0,15 А) <=5 (10 В) <=3,3 - <=120; <=50*
КТ645Б n-p-n 500 >=200 40 4 300 (600*) <=10 (40 В) >=80 (10 В; 2 мА) <=5 (10 В) - - -
КТ646А n-p-n 1 (2,5*) Вт >=200 60 4(5) 1 А; 1,2 * А <=10 (60 В) 40...200* (5 В; 0,2 А) <=10 (10 В) <=1,7 - <=120; <=60*
КТ646Б n-p-n 1 Вт >=200 40 4 1 А; 1,2* А <=10 (40 В) 150...200* (5 В; 0,2 А) <=10 (10 В) <=1,2 - <=120; <=60*
КТ646В n-p-n 1 Вт >=200 40 4 1 А; 1,2* А <=10 (40 В) 150...300* (5 В; 0,2 А) <=10 (10 В) <=0,06 - <=120; <=60*
КТ647А-2 n-p-n 560 - 18 2 90 <=1 мА (18 В) - <=1,5 (15 В) >=3** (10 ГГц) 0,2** (10 ГГц) -
КТ647А-5 n-p-n 560 - 18 2 90 <=1 мА (18 В) - <=1,5 (15 В) >=3** (10 ГГц) 0,2** (10 ГГц) -
КТ648А-2 n-p-n 420 - 18 2 60 <=1 мА (18 В) - <=1,5 (10 В) >=3** (12 ГГц) 0,04** (12 ГГц) -
КТ648А-5 n-p-n 420 - 18 2 60 <=1 мА (18 В) - <=1,5 (10 В) >=3** (12 ГГц) >=0,04** (12 ГГц) -
КТ657А-2 n-p-n 375 (60°C) >=3 ГГц 12* 2 60 <=1* мА (12 В) - <=1,1 (15 В) >=8** (2 ГГц) >=0,05** (2 ГГц) -
КТ657Б-2 n-p-n 375 (60°C) >=3 ГГц 12* 2 60 <=1* мА (12 В) 60...200 (6 В; 30 мА) <=1,1 (15 В) >=8** (2 ГГц) >=0,05** (2 ГГц) -
КТ657В-2 n-p-n 375 (60°C) >=3 ГГц 12* 2 60 <=1* мА (12 В) 35...70 (6 В; 30 мА) <=1,1 (15 В) >=8** (2 ГГц) >=0,05** (2 ГГц) -
КТ657А-5 n-p-n 375 >=3 ГГц 12* 2 60 <=1* мА (12 В) - <=1,1 (15 В) >=8** (2 ГГц) >=0,05** (2 ГГц) -
КТ657Б-5 n-p-n 375 >=3 ГГц 12* 2 60 <=1* мА (12 В) 60...200 (6 В; 30 мА) <=1,1 (15 В) >=8** (2 ГГц) >=0,05** (2 ГГц) -
КТ657В-5 n-p-n 375 >=3 ГГц 12* 2 60 <=1* мА (12 В) 35...70 (6 В; 30 мА) <=1,1 (15 В) >=8** (2 ГГц) >=0,05** (2 ГГц) -
КТ659А n-p-n 1 Вт >=300 60 6 1,2 А <=0,5 мА (60 В) >=35 (1 В; 0,3 А) <=10 (10 В) <=9 - <=80**
КТ660А n-p-n 0,5 Вт >=200 50 5 0,8 А <=1 (50 В) 110...220* (10 В; 0,2 А) <=10 (10 В) <=1 - -
КТ660Б n-p-n 0,5 Вт >=200 30 5 0,8 А <=1 (30 В) 200...450* (10 В; 0,2 А) <=10 (10 В) <=1 - -
КТ661А p-n-p 0,4 Вт (1,8* Вт) >=200 60 5 0,3 А; 0,6* А <=0,01 мА (50 В) - <=8 (10 В) <=3,2 - <=150**
КТ662А p-n-p 0,6 Вт (3* Вт) >=200 60 5 0,4 А; 0,6* А <=0,01 мА (50 В) 100...300* (10 В; 0,15 А) <=8 (10 В) <=3,2 - <=200**
КТ664А-9 p-n-p 300 (1* Вт) >=50 120 5 1 А (1,5* А) <=10 (100 В) 40...250 (2 В; 0,1 А) <=25 (5 В) <=2,3 - <=700**
КТ664Б-9 p-n-p 300 (1 Вт) >=50 100 5 1 А (1,5* А) <=10 (100 В) 40...250 (2 В; 0,1 А) <=25 (5 В) <=2,3 - <=700**
КТ665А-9 n-p-n 300 (1* Вт) >=50 120 5 1 А (1,5* А) <=10 (100 В) 40...250 (2 В; 0,15 А) <=25 (5 В) <=2 - -
КТ665Б-9 n-p-n 300 (1* Вт) >=50 100 5 1 А (1,5* А) <=10 (100 В) 40...250 (2 В; 0,15 А) <=25 (5 В) <=2 - -
КТ666А-9 n-p-n 300 (1* Вт) >=60 300 5 20 (50*) <=0,1 мА (300 В) >=50 (10 В; 5 мА) - <=80 - -
КТ667А-9 p-n-p 300 (1* Вт) >=40 300 5 20; 50* <=0,1 (300 В) >=50 (10 В; 5 мА) - <=80 - -
КТ668А p-n-p 0,5 Вт >=200 50 5 0,1 А <=15 нА (30 В) 75...140 (5 В; 2 мА) <=7 <=6,5 <=10(1кГц) -
КТ668Б p-n-p 0,5 Вт >=200 50 5 0,1 А <=15 нА (30 В) 125...250 (5 В; 2 мА) <=7 <=6,5 <=10 (1кГц) -
КТ668В p-n-p 0,5 Вт >=200 50 5 0,1 А <=15 нА (30 В) 220...475 (5 В; 2 мА) <=7 <=6,5 <=10(1кГц) -
КТ680А n-p-n 350 (85°С) >=120 30 5 0,6 А (2* А) <=10 (25 В) 85...300 (1 В; 0,5 А) - <=0,5 - -
КТ681А p-n-p 350 (85°C) >=120 30 5 0,6 А (2* А) <=10 (25 В) 85...300* (1 В; 0,5 А) - <=0,5 - -
КТ682А-2 n-p-n 350 >=4,4 ГГц 10 1 50 <=1 (10 В) 40...45 (7 В; 2 мА) <=0,9 (10 В) >=7** (3,6 ГГц) <=4 (3,6 ГГц) -
КТ682Б-2 n-p-n 350 >=4,4 ГГц 10 1 50 <=1 (10 В) 80...120 (7 В; 2 мА) <=0,9 (10 В) >=7** (3,6 ГГц) <=4 (3,6 ГГц) -
КТ682А-5 n-p-n 350 >=4,4 ГГц 10 1 50 <=1 (10 В) 40...45 (7 В; 2 мА) <=0,9 (10 В) >=7** (3,6 ГГц) 4 (3,6 ГГц) -
КТ682Б-5 n-p-n 350 >=4,4 ГГц 10 1 50 <=1 (10 В) 80...120 (7 В; 2 мА) <=0,9 (10 В) >=7** (3,6 ГГц) <=4 (3,6 ГГц) -
КТ683А n-p-n 1,2 (8*) Вт >=50 150* (3к) 7 1 А; 2* А <=1 (90 В) 40...120* (10 В; 0,15 А) <=15 (10 В) <=3; <=6,6* <=8* <=500**
КТ683Б n-p-n 1,2 (8*) Вт >=50 120* (3к) 7 1 А; 2* А <=1 (90 В) 80...240* (10 В; 0,15 А) <=15 (10 В) <=3; <=6,6* <=8* <=500**
КТ683В n-p-n 1,2 (8*) Вт >=50 120* (3к) 7 1 А; 2* А <=1 (90 В) 40...120* (10 В; 0,15 А) <=15 (10 В) <=3; <=6,6* <=8* <=500**
КТ683Г n-p-n 1,2 (8*) Вт >=50 100* (3к) 5 1 А; 2* А <=1 (40 В) 40...120* (10 В; 0,15 А) <=15 (10 В) <=3; <=6,6* <=8* <=500**
КТ683Д n-p-n 1,2 (8*) Вт >=50 60* (3к) 5 1 А; 2* А <=1 (40 В) 80...240* (10 В; 0,15 А) <=15 (10 В) <=3; <=6,6* <=8* <=500**
КТ683Е n-p-n 1,2 (8*) Вт >=50 60* (3к) 5 1 А; 2* А <=1 (40 В) 160...480* (10 В; 0,15 А) <=15 (10 В) <=3; <=6,6* <=8* <=500**
КТ684А p-n-p 0,8 Вт >=40 45* (1к) 5 1 А (1,5* А) <=0,1 (30 В) 40...250* (2 В; 0,15 А) <=50 (10 В) <=1 - -
КТ684Б p-n-p 0,8 Вт >=40 60* (1к) 5 1 А (1,5* А) <=0,1 (30 В) 40...160* (2 В; 0,15 А) <=50(10 В) <=1 - -
КТ684В p-n-p 0,8 Вт >=40 100* (1к) 5 1 А (1,5* А) <=0,1 (30 В) 40...160* (2 В; 0,15 А) <=50(10 В) <=1 - -
КТ684Г p-n-p 0,8 Вт >=40 30 5 1 А (1,5* А) <=0,1 (30 В) 180...400 (2 В; 0,15 А) <=50 (10 В) <=1 - -

Страницы : [ 1 ]  [ 2 ]  [ 3 ]  [ 4 ]  [ 5 ]  [ 6 ]  [ 7 ]  [ 8 ]  [ 9 ]  [ 10 ]  [ 11 ]  [ 12 ]  [ 13 ]  [ 14 ]  [ 15 ] [ 16 ]  [ 17 ]  [ 18 ]  [ 19 ]  [ 20 ]  [ 21 ]  [ 22 ]  [ 23 ]  [ 24 ]  [ 25 ]  [ 26 ]  [ 27 ]  [ 28 ]  [ 29 ] [ 30 ] 
 
РФ, 300013, г. Тула, ул. Болдина, дом 47, оф. 21, 22
тел. +7(910)1-665-665, +7(4872)790-963, +7(963)228-95-59, +7(920)7-963-963
Copyright © 2005 ООО Радио-Комплект   admin