РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ ОТЕЧЕСТВЕННОГО ПРОИЗВОДСТВА
ООО "Радио-Комплект"
Радиоэлектронные компоненты

 
Заказ: Просмотр корзины
 
Всего компонентов - 286055


Дежурный по сайту
icq 463588205


Прайс лист
Обновление прайс-листа 10.10.2018г.

download ПРАЙС XLSX(zip) excel



Почтовая рассылка
Подписаться
Отказаться
Каталог
- Автоматы
- Выключатели
- Динисторы
- Диоды
- Дроссели
- Импорт
- Индикаторы
- Коммутация
- Конденсаторы
- Контакторы
- Ламповые панели
- Лампы
- Микросхемы
- Модули
- Оптроны
- Охладители
- Паяльное оборудование
- Предохранители
- Припой
- Провод
- Прочее
- Пускатели
- Разъемы
- Разъемы: заглушки
- Резисторы
- Реле
- Светодиоды
- Стабилитроны
- Тиристоры
- Транзисторы
- Трансформаторы
- Шунты
- Щитовые приборы
- Весь ассортимент
- Все фото компонентов


cat_link   Каталог ссылок  



Яндекс.Метрика
e7e

Вернуться ...

Схема "Тестер полупроводниковых элементов"

Тестер полупроводниковых элементов

У каждого радиолюбителя найдется немало импортных транзисторов, опознать которые не удается из-за отсутствия или повреждения маркировки на корпусе. Данное устройство легко справится с этой задачей. При относительно простой схеме, прибор с достаточно высокой точностью определяет назначения выводов и типы транзисторов, тиристоров, диодов и др.
Правильно собранный прибор не требует наладки, необходимо только подобрать резистор R1 в цепи регулировки контрастности дисплея. Дисплей подойдет любой на базе HD44780, у разных типов дисплеев вход Vcc и GND расположены по разному, на это стоит обратить внимание, также не рекомендуется увеличивать емкость С5 фильтра на выходе стабилизатора Vr1, это может привести к автоматическому повторному включению прибора.
Рис.1 Схема прибора
Для проверки транзистора или диода подключаем его вывода к клеммам 1, 2, 3 прибора в произвольном порядке, кратковременно нажимаем кнопку К1 и наблюдаем информацию на экране дисплея. Информация по различным типам элементов, выводимая на дисплей, приведена ниже в таблице.
Типы проверяемых элементов Информация на дисплее
N-P-N транзисторы "NPN" (1, 2, 3 выводы) hFE-коэфф ус. Uf [mV] - прямое напряжение
P-N-P транзисторы "PNP" (1, 2, 3 выводы) hFE-коэфф.ус. Uf [mV] - прямое напряжение
N-канальные-обогащенные MOSFET "N-E-MOS" Vt [mV]-напряжение открыванияC= [nF]- емкость затвора.
P-канальные-обогащенные MOSFET "P-E-MOS"
N-канальные-обедненные MOSFET "N-D-MOS"
P-канальные-обедненные MOSFET "P-D-MOS"
N-канальные JFET "N-JFET"
P-канальные JFET "P-JFET"
Тиристоры "Tyrystor"
Симисторы "Triak"
Диоды "Diode"
Двухкатодные сборки диодов "Double diode CK"
Двуханодные сборки диодов "Double diode CA"
Два последовательно соединенных диода "2 diode series"
Диоды симметричные "Diode symmetric"
Резисторы - диапазон от 0,5 К до 500К [K] Прибор не дает высокой точности
Конденсаторы - диапазот 0,2nF до 1000uF [nF,uF] Прибор не дает высокой точности

Дополнительные параметры выводимые на дисплей.

hFE - коэффициент усиления по току - диапазон до 10000
(1-2-3) - порядок подключенных выводов элемента
Наличие элементов защиты - диода - "Символ диода"
Прямое напряжение - Uf [mV]
Напряжение открывания MOSFET) - Vt [mV]
Емкость затвора (для MOSFET) - C= [nF]
Рис.2 Примеры показаний дисплея
Детали:
  1. Микросхема ATmega8
  2. ЖК индикатор WH1602D
  3. Резисторы МЛТ-0,5 470 кОм, 680 Ом, 3,3 кОм, 10 кОм
  4. Микросхема 7805
  5. Транзисторы КТ315Б, КТ3107
  6. Диод КД522Б

Информацию по компонентам можно скачать с сайта в разделе "Документация".

Если для прошивки контроллера Вы используете программу CVAVR, настройте fuse-биты в соответствие с рисунком 3. В архиве находятся прошивка микроконтроллера и прошивка EEPROM, для ATmega 8, ATmega 48, а также макет печатной платы и схема.
Рис.3 Программирование микроконтроллера

download Скачать прошивку

 


 
 
РФ, 300013, г. Тула, ул. Болдина, дом 47, оф. 21, 22
тел. 8(910)1-665-665, +7(4872)21-98-23, тел./факс +7(4872)22-36-41
Copyright © 2005 ООО Радио-Комплект   admin